退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。

　　可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。

　　退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。

　　真空退火炉的运用及运行过程的注意事项：

　　1、 使用人员必须了解电炉及辅助设备(控制柜、仪表等)的构造及其工作性质，同时亦应了解电气管路的布设情况。

　　2、 在接通电源以前必须仔细检查加热元件的联接是否符合需求，接触情况是否良好，导电体与罩壳是否有接触的地方，同时进行电炉绝缘电阻试验，并检查液压管路密封性，严禁漏油。

　　3、 电炉在进行装卸工件时，必须切断加热元件电源。如切断电源影响工件质量时，则应采取其它可靠的安全措施，以确保使用人员安全。

　　4、 电炉的炉衬严禁撞击，应禁止任意乱抛工作于炉膛内现象，工件应稳定正确地放入炉膛，要避免冲击现象，每次装载量不得大于所设计尺寸。

　　5、 带有腐蚀性、挥发性或爆炸性的工作，严禁放入炉内加热，以免影响加热元件及耐火材料的寿命或发生爆炸等意外情况。

　　6、 当工件进入炉内后，压紧炉盖上的压紧螺栓，开始加热。

　　7、 开启真空泵抽气，当炉盖上的真空表抽到(-0.1)后，再加设量氮气使炉内氮气气体保持正压。

　　8、 当工件处理完成后，先打开放气阀后再开炉。(出温度度应降到150℃-100℃)。